Infineon IPD068P03L3GATMA1: MOSFET de Potência P-Channel de Alta Performance
Procurando por um MOSFET P-Channel robusto e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IPD068P03L3GATMA1 da Infineon, um componente de alta qualidade que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IPD068P03L3GATMA1:
- Tipo de Transistor: MOSFET P-Channel
- Tensão Drain-Source (Vds): 30V
- Corrente de Dreno Contínua (Id): 70A
- Resistência Drain-Source (Rds(on)): 6.8mΩ
- Tensão Gate-Source (Vgs): -20V a +20V
- Tensão de Limiar Gate-Source (Vgs(th)): 1V
- Carga de Gate (Qg): 91nC
- Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
- Dissipação de Potência (Pd): 100W
- Encapsulamento: DPAK-3 (TO-252-3)
Características e Benefícios do MOSFET Infineon:
O IPD068P03L3GATMA1 é um MOSFET de potência que se destaca por suas características avançadas, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Baixa Resistência (Rds(on)): Minimiza as perdas de condução, aumentando a eficiência energética do seu projeto.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência com facilidade.
- Tempo de Comutação Rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral do sistema.
- Encapsulamento Robusto: O encapsulamento DPAK-3 garante durabilidade e confiabilidade em ambientes desafiadores.
Aplicações do IPD068P03L3GATMA1:
Este MOSFET P-Channel da Infineon é uma escolha versátil para diversas aplicações, como:
- Controle de motor
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Gerenciamento de bateria
- Sistemas automotivos
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são baseadas em dados técnicos disponíveis publicamente. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as especificações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPD068P03L3GATMA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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