Descrição
Transistor MOSFET de canal P de alta performance, otimizado para aplicações automotivas e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): -30 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | -100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6.8 mOhm a Vgs = -10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
- RoHS compatível
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPD068P03L3GATMA1?
O transistor IPD068P03L3GATMA1 é encapsulado em PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD068P03L3GATMA1?
A temperatura de operação do IPD068P03L3GATMA1 varia de -55 °C a +175 °C.
Quais são as principais características do IPD068P03L3GATMA1?
O IPD068P03L3GATMA1 possui baixa carga de gate (Qg), baixa capacitância de saída (Coss) e é compatível com RoHS. Ele é um MOSFET de canal P com tecnologia OptiMOS™ 3, tensão Drain-Source (Vds) de -30V, corrente de Drain contínua (Id) de -100A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 6.8 mOhm a Vgs = -10V e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V. É qualificado AEC-Q101.