Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4 S |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 90 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 360 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| AEC Qualified | Sim |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPB90N06S4L04ATMA2?
O IPB90N06S4L04ATMA2 possui encapsulamento Halogen-free e está em um package PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB90N06S4L04ATMA2?
O IPB90N06S4L04ATMA2 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Quais as qualificações e conformidades do IPB90N06S4L04ATMA2?
O IPB90N06S4L04ATMA2 é AEC Qualified e está em conformidade com RoHS.