Infineon IPB90N06S4L04ATMA2

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Infineon IPB90N06S4L04ATMA2: MOSFET de Potência de Alta Performance

O IPB90N06S4L04ATMA2 é um MOSFET de potência N-Channel da Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho. Com uma tensão de ruptura de 60V e uma corrente de dreno de 90A, este transistor é ideal para uso em uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Conversores DC-DC
  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Controladores de motor
  • Aplicações automotivas

Especificações Técnicas do IPB90N06S4L04ATMA2:

Este MOSFET de potência oferece um conjunto de características que o tornam uma solução robusta e confiável para suas necessidades de projeto. Aqui estão algumas das principais especificações:

  • Tecnologia OptiMOS™-T2: garante excelente desempenho e confiabilidade.
  • RDS(on) baixo: minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Capacitância de entrada e saída reduzidas: melhora a velocidade de comutação e reduz as perdas.
  • Encapsulamento PG-TO263-3-2: oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem.

Benefícios do IPB90N06S4L04ATMA2:

Ao escolher o IPB90N06S4L04ATMA2, você se beneficia de diversas vantagens:

  • Alta eficiência: permite a construção de sistemas com menor consumo de energia.
  • Confiabilidade excepcional: garante operação estável em condições exigentes.
  • Tamanho compacto: ideal para projetos com restrições de espaço.
  • Excelente relação custo-benefício: oferece alto desempenho a um preço competitivo.

Aplicações do MOSFET IPB90N06S4L04ATMA2:

Graças à sua versatilidade, o IPB90N06S4L04ATMA2 pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

  • Carregadores de bateria
  • Inversores solares
  • Sistemas de iluminação LED
  • Ferramentas elétricas

Encontre o IPB90N06S4L04ATMA2 na Mokka Sensors

A Mokka Sensors oferece o transistor MOSFET IPB90N06S4L04ATMA2 da Infineon. Entre em contato conosco para saber mais sobre este componente e como ele pode atender às suas necessidades.

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