Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em sistemas de potência automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4 S |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 80 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 700 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 250 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPB80N06S407ATMA2 pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 60 V.
Em qual faixa de temperatura o IPB80N06S407ATMA2 pode operar?
O IPB80N06S407ATMA2 pode operar em temperaturas de -55 °C a 175 °C.
Qual o valor típico da resistência Drain-Source (Rds(on)) do IPB80N06S407ATMA2?
A resistência Drain-Source (Rds(on)) é de 7 mOhm quando Vgs=10V.