Infineon IPB60R125CP: MOSFET de Potência CoolMOS™ CP de 600V e 25A
O Infineon IPB60R125CP é um MOSFET de potência de última geração que oferece desempenho excepcional em aplicações de comutação de alta velocidade. Pertencente à família CoolMOS™ CP, este transistor foi projetado para atender às demandas de projetos que exigem alta eficiência, baixo consumo de energia e confiabilidade robusta.
Especificações Técnicas do IPB60R125CP:
- Tecnologia: CoolMOS™ CP
- Tensão de Dreno-Fonte (VDSS): 600V
- Corrente de Dreno (ID): 25A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 125mΩ
- Carga de Porta (Qg): 60nC
- Tempo de Aumento (tr): 35ns
- Tempo de Queda (tf): 28ns
- Encapsulamento: I2PAK-3
Características e Benefícios do MOSFET IPB60R125CP:
O IPB60R125CP oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para uma variedade de aplicações:
- Baixas perdas de condução: A baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) minimiza as perdas de energia durante a operação, resultando em maior eficiência energética.
- Alta velocidade de comutação: Os tempos de subida e descida rápidos (tr e tf) permitem comutação eficiente em altas frequências, reduzindo as perdas de comutação e o tamanho dos componentes passivos.
- Robustez e confiabilidade: O IPB60R125CP apresenta excelente robustez e capacidade de lidar com transientes de tensão e corrente, garantindo operação confiável em ambientes desafiadores.
- Facilidade de uso: O encapsulamento I2PAK-3 é amplamente utilizado e facilita a integração em diversos designs.
Aplicações do Transistor IPB60R125CP:
Este MOSFET de potência é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Inversores
- Controladores de motor
- Aplicações de aquecimento por indução
- Carregadores de bateria
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Observação: As especificações técnicas podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
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