Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 125A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 125 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.125 Ohm |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 303 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | TO-247 |
| Tipo de Transistor | N-Channel |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC, inversores solares. |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPB60R125CP pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 600 V.
Em quais temperaturas o IPB60R125CP pode operar?
O IPB60R125CP opera em temperaturas de -55°C a 150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do IPB60R125CP?
O IPB60R125CP é ideal para aplicações como fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC e inversores solares.