Transistor MOSFET IPB60R080P7ATMA1 – Infineon
Procurando por um MOSFET de alta qualidade e desempenho para sua aplicação? Apresentamos o IPB60R080P7ATMA1 da Infineon, um componente eletrônico de potência que oferece excelente eficiência e confiabilidade para seus projetos.
Especificações Técnicas do IPB60R080P7ATMA1:
- Tipo de transistor: MOSFET Canal N
- Tensão Dreno-Source (Vds): 600V
- Corrente de Dreno (Id): 37A (Tc)
- Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): 69mΩ
- Potência de Dissipação (Pd): 129W (Tc)
- Encapsulamento: PG-TO263-3 (D²PAK)
- Tecnologia: CoolMOS™ P7
- Fabricante: Infineon Technologies
Aplicações do MOSFET IPB60R080P7ATMA1:
O IPB60R080P7ATMA1 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores solares
- Servidores
- Telecomunicações
- Estações de carregamento de veículos elétricos (EV)
- Conversores de energia
- Controladores de motor
- Aplicações industriais de alta potência
Benefícios do IPB60R080P7ATMA1:
Este MOSFET da Infineon oferece diversos benefícios que o tornam uma escolha superior para seus projetos:
- Alta eficiência: Baixa resistência de estado ligado (Rds(on)), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
- Comutação rápida: Permite operação em altas frequências, reduzindo o tamanho e o peso dos componentes.
- Robustez: Excelente resistência a curto-circuitos e avalanche.
- Confiabilidade: Tecnologia CoolMOS™ P7 comprovada, garantindo longa vida útil e operação estável.
- Facilidade de uso: Baixa tendência a oscilações, simplificando o design e a implementação.
Encontre o IPB60R080P7ATMA1 na Mokka Sensors
A Mokka Sensors oferece o transistor MOSFET IPB60R080P7ATMA1 da Infineon para atender às suas necessidades. Entre em contato conosco para mais informações sobre o produto e disponibilidade.
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A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPB60R080P7ATMA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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