Descrição
Transistor MOSFET de canal P de alta performance da série OptiMOS™ 4, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4 |
|---|---|
| Tipo de canal | Canal P |
| Tensão Drain | Source (Vds): -40 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | -100 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 1.8 mΩ a Vgs = -10 V, Id = -100 A |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): -2.5 V a Vds = -10 V, Id = -100 µA |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a +175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, relés de estado sólido, sistemas de distribuição de energia. |
| Certificação AEC | Q101 |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa resistência térmica
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB180P04P4L02ATMA1?
O transistor IPB180P04P4L02ATMA1 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Em quais aplicações o IPB180P04P4L02ATMA1 é tipicamente utilizado?
O IPB180P04P4L02ATMA1 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva, relés de estado sólido e sistemas de distribuição de energia.
Qual a tensão máxima de Drain-Source e o tipo de canal do IPB180P04P4L02ATMA1?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) do IPB180P04P4L02ATMA1 é -40 V e ele é um transistor de canal P.