Infineon IPB107N20N3GATMA1: Transistor MOSFET de Alta Performance
O Infineon IPB107N20N3GATMA1 é um transistor MOSFET de canal N, projetado para oferecer eficiência energética e desempenho superior em diversas aplicações eletrônicas. Este componente é amplamente reconhecido pela sua confiabilidade e pelas especificações técnicas avançadas, tornando-se uma escolha ideal para engenheiros e técnicos em busca de soluções robustas e versáteis.
Principais Características do Infineon IPB107N20N3GATMA1
- Tensão máxima de dreno-fonte (VDS): 200V
- Corrente contínua de dreno (ID): 107A
- Resistência de condução (RDS(on)): 7,4 mΩ a 10V
- Temperatura operacional: -55°C a 175°C
- Encapsulamento: TO-263-3 (D²PAK)
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
Esses atributos fazem do Infineon IPB107N20N3GATMA1 uma solução eficiente para aplicações de alta potência, como fontes de alimentação chaveadas, sistemas automotivos e circuitos industriais. Sua baixa resistência de condução reduz significativamente as perdas de energia, contribuindo para maior eficiência no sistema como um todo.
Vantagens do MOSFET Infineon
Desenvolvido pela Infineon, líder global em semicondutores, este MOSFET incorpora a tecnologia OptiMOS™ 3, que proporciona:
- Redução de dissipação de calor em projetos compactos;
- Alta confiabilidade em condições extremas;
- Baixa capacitância de entrada para rápidas transições de chaveamento;
- Excelente desempenho em aplicações de comutação de alta frequência.
Além disso, o encapsulamento TO-263-3 assegura uma montagem prática e eficiente em placas de circuito impresso, oferecendo robustez mecânica e térmica em ambientes desafiadores.
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Seja em aplicações automotivas, industriais ou eletrônicas, o Infineon IPB107N20N3GATMA1 oferece a combinação ideal de desempenho e eficiência energética, consolidando sua posição como um dos MOSFETs mais populares no mercado.
Especificações Técnicas
- Tensão nominal: 200V
- Corrente máxima: 107A
- RDS(on) típico: 7,4 mΩ
- Temperatura máxima: 175°C
- Encapsulamento: TO-263-3
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