Infineon IPB037N06N3G: MOSFET de Potência para Aplicações Exigentes
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para seu projeto? Apresentamos o Infineon IPB037N06N3G, um componente de alta performance que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do IPB037N06N3G:
- Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Dreno-Source (Vdss): 60V
- Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
- Resistência de Estado Ligado (Rds(on)) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
- Tensão de Gate-Source Limiar (Vgs(th)) @ Id: 4V @ 90µA
- Carga de Gate (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
- Tensão de Gate-Source (Vgs): ±20V
- Capacitância de Entrada (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 30V
- Dissipação de Potência (Max): 188W (Tc)
- Temperatura de Operação: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de Montagem: Surface Mount
- Pacote / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Aplicações do MOSFET IPB037N06N3G:
O IPB037N06N3G é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de energia
Benefícios do IPB037N06N3G:
Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de vantagens, como:
- Baixa resistência de estado ligado (Rds(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
- Tempo de comutação rápido, permitindo operação em altas frequências.
- Excelente estabilidade térmica.
- Pacote compacto TO-263-3, ideal para projetos com espaço limitado.
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