Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.7 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, inversores solares |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPB037N06N3G?
O IPB037N06N3G possui encapsulamento PG-TDSON-8 e é halogen-free.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB037N06N3G?
O IPB037N06N3G opera em temperaturas de -55 °C a 175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPB037N06N3G?
O IPB037N06N3G é projetado para aplicações como gerenciamento de energia, fontes de alimentação e inversores solares.