Infineon IPB035N08N3GATMA1

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Infineon IPB035N08N3GATMA1: MOSFET de Potência N-Channel 80V

O Infineon IPB035N08N3GATMA1 é um MOSFET de potência N-Channel de 80V, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho. Com uma resistência de estado ligado (RDS(on)) extremamente baixa, ele minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência geral do sistema. Este componente SMD (Surface Mount Device) em encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) é projetado para atender às demandas de projetos modernos de eletrônica de potência.

Especificações Técnicas do IPB035N08N3GATMA1:

  • Tipo de MOSFET: N-Channel
  • Tensão Dreno-Source (VDS): 80V
  • Corrente de Dreno (ID): 100A
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 3.5mΩ
  • Encapsulamento: PG-TO263-3 (D2PAK)
  • Tecnologia: OptiMOS™

Características Principais:

O IPB035N08N3GATMA1 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para diversas aplicações:

  • Baixa RDS(on): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Alta capacidade de corrente: Permite o uso em aplicações de alta potência.
  • Encapsulamento compacto: Facilita a integração em projetos com espaço limitado.
  • Confiabilidade e robustez: Garante operação estável e longa vida útil.

Aplicações:

Este MOSFET de potência é indicado para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Sistemas de gerenciamento de bateria
  • Aplicações automotivas

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