Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.5 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET IPB035N08N3G?
O MOSFET IPB035N08N3G utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Quais as temperaturas de operação do IPB035N08N3G?
O IPB035N08N3G pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais as aplicações típicas do IPB035N08N3G e quais suas principais características elétricas?
O IPB035N08N3G é projetado para gerenciamento de energia automotiva. Suas principais características elétricas incluem uma tensão Drain: Source (Vds) de 80 V, corrente Drain Contínua (Id) de 100 A, e resistência Drain: Source (Rds(on)) de 3.5 mOhm a Vgs=10V.