Infineon IPB025N08N3G – MOSFET de Potência de Canal N
O Infineon IPB025N08N3G é um MOSFET de potência de canal N de última geração, projetado para oferecer desempenho excepcional em aplicações de comutação de alta velocidade. Pertencente à família OptiMOS™ 3 da Infineon, este componente combina baixa resistência de condução (RDS(on)) com capacitância de entrada reduzida, resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
Características Principais do IPB025N08N3G:
- Tecnologia OptiMOS™ 3 para desempenho otimizado
- Baixa resistência de condução (RDS(on))
- Capacitância de entrada reduzida
- Excelente figura de mérito (FOM)
- Resistência térmica superior
- Resfriamento bilateral
- Baixa indutância parasita
- Perfil baixo (<0,7 mm)
- Canal N, nível normal
- 100% testado em avalanche
Aplicações Ideais para o MOSFET IPB025N08N3G:
Graças às suas características avançadas, o IPB025N08N3G da Infineon é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Conversores DC-DC
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Controladores de motor
- Gerenciamento de bateria
- Aplicações automotivas
Benefícios de Escolher o Infineon IPB025N08N3G:
Ao optar pelo IPB025N08N3G, você se beneficia de:
- Eficiência Energética Aprimorada: A baixa RDS(on) e a capacitância reduzida minimizam as perdas de energia, aumentando a eficiência geral do seu sistema.
- Confiabilidade Superior: A tecnologia OptiMOS™ 3 e os rigorosos testes de qualidade garantem a confiabilidade e a longa vida útil do componente.
- Design Compacto: O perfil baixo do IPB025N08N3G permite a integração em projetos com restrições de espaço.
- Desempenho Térmico Otimizado: O resfriamento bilateral e a baixa resistência térmica contribuem para um melhor gerenciamento térmico.
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A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPB025N08N3G e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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