Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 125A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 125 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.125 Ohm (típico a 25°C) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Corrente de Drain Pulsada (Id pulsada) | 500 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
- Alta eficiência energética
- Ideal para aplicações de alta tensão e alta corrente
FAQ
Qual o encapsulamento do IPA60R125CP?
O IPA60R125CP possui encapsulamento PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPA60R125CP?
A temperatura de operação do IPA60R125CP varia de -55°C a 150°C.
Quais as aplicações típicas do IPA60R125CP?
O IPA60R125CP é ideal para aplicações de alta tensão e alta corrente, devido à sua baixa carga de gate (Qg), baixa capacitância de saída (Coss) e alta eficiência energética.