Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de comutação em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ 5 IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 75 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 37 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 75A, 15V: 1.5 V |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 225 A |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.31 K/W |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Diodo de Ruptura Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo transistor IKZ75N65ES5?
O transistor IKZ75N65ES5 da Infineon suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 650 V.
Em quais faixas de temperatura o IKZ75N65ES5 pode operar?
O IKZ75N65ES5 pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do IKZ75N65ES5 e ele possui alguma proteção integrada?
O IKZ75N65ES5 é ideal para fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS e controle de motor. Ele possui um diodo de ruptura rápida integrado.