Descrição
Transistor de potência CoolMOS™ MOSFET de 650V, 75A, com baixa perda de condução e chaveamento rápido, encapsulado em TO 247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ 7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 650 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 75 A |
| RDS(on) máximo | 50 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs) nominal: ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)) nominal: 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 300 A |
| Potência dissipada (Pd) | 303 W |
| Temperatura de operação | -55 a 150 °C |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, carregadores de veículos elétricos |
FAQ
Qual o encapsulamento do IKW75N65ES5?
O IKW75N65ES5 é encapsulado em PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKW75N65ES5?
A temperatura de operação do IKW75N65ES5 é de -55 a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do IKW75N65ES5?
As aplicações típicas do IKW75N65ES5 incluem fontes de alimentação, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.