Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série E, 650V, 75A, com diodo de roda livre rápido, encapsulado em TO 247.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 75 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 45 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 75A, 25°C: 1.5 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT Gen 5 |
| Diodo de Roda Livre | Diode Fast |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 175°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.31 K/W |
| Perda de Energia de Comutação (Eon/Eoff) | Baixa |
FAQ
Qual o encapsulamento do IGBT IKW75N65EH5XKSA1?
O IGBT IKW75N65EH5XKSA1 é encapsulado em PG-TO247-3.
Quais as temperaturas de operação do IKW75N65EH5XKSA1?
A temperatura de operação do IKW75N65EH5XKSA1 varia de -40°C a 175°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Emissor e qual a tecnologia do IGBT IKW75N65EH5XKSA1?
A tensão máxima de Gate-Emissor (Vge) do IKW75N65EH5XKSA1 é de ±20 V. A tecnologia utilizada é Trench Fieldstop IGBT Gen 5.