Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de alta tensão e corrente, com foco em eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT 2 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 80 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 40 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 40 A, 15V: 1.7 V |
| Corrente de Pico (Icm) | 240 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 25 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 60 ns |
| Package | TO-247-3 |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IKW40N120T2?
O transistor IGBT IKW40N120T2 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a corrente contínua máxima que o IKW40N120T2 suporta?
A corrente contínua de coletor (Ic) do IKW40N120T2 é de 80 A a 25°C e 40 A a 100°C.
Quais são as principais características de encapsulamento e gate do IKW40N120T2?
O IKW40N120T2 possui encapsulamento TO-247-3. A tensão gate-emissor (Vge) suportada é de ±20 V e a corrente de gate (Ig) é de 100 nA.