Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 25 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 80 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) nominal | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a 175°C |
| Package | TO-247 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 150 W |
| Frequência de Comutação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, drives de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IKW25T120 pode suportar?
O transistor IGBT IKW25T120 da Infineon possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o IKW25T120 é tipicamente utilizado?
O IKW25T120 é projetado para aplicações de alta performance, como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e drives de motor.
Qual a temperatura máxima de operação do IKW25T120?
A temperatura de operação (Tj) do IKW25T120 varia de -40°C a 175°C.