Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família TRENCHSTOP™ 3, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência em fontes de alimentação chaveadas e inversores solares.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.55 V (típico) |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icp) | 100 A |
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ 3 IGBT |
| Package | TO-247-3 |
| Classe de Temperatura | -40°C a +175°C |
| Gate Charge (Qg) | 65 nC (típico) |
| Tempo de Comutação (tf) | 15 ns (típico) |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.65 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IKW25N120H3FKSA1 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o IKW25N120H3FKSA1 pode operar?
A classe de temperatura do IKW25N120H3FKSA1 é de -40°C a +175°C.
Quais são as principais características de comutação do IKW25N120H3FKSA1?
O tempo de comutação (tf) é de 15 ns (típico) e a Gate Charge (Qg) é de 65 nC (típico).