Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série H3, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.5 V |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Tecnologia | TrenchField H3 |
| Package | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
Recursos
- Perda de Energia por Comutação (Eon/Eoff) otimizada
- Baixa Indutância Parasita
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IKW25N120H3 pode suportar?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais temperaturas o IKW25N120H3 pode operar?
A temperatura de operação do IKW25N120H3 varia de -40°C a +175°C.
Quais são as principais características de comutação do IKW25N120H3?
O IKW25N120H3 possui perda de energia por comutação (Eon/Eoff) otimizada e baixa indutância parasita, sendo um IGBT da série H3 com tecnologia TrenchField.