Infineon IKP06N60T SKU IKP06N60T

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Transistor de potência CoolMOS™ P6 600V, 6A, com encapsulamento TO-220 FullPAK. Ideal para aplicações de fonte de alimentação.

SKU: IKP06N60T Categoria: Tag:

Descrição

Transistor de potência CoolMOS™ P6 600V, 6A, com encapsulamento TO 220 FullPAK. Ideal para aplicações de fonte de alimentação.

Especificações

Tecnologia CoolMOS™ P6
Tensão Dreno Fonte (Vds): 600 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 6 A
Encapsulamento TO-220 FullPAK
Resistência Dreno Fonte (Rds(on)): 600 mΩ (típico)
Tensão de Gate Source (Vgs): ±20 V
Corrente de Gate (Ig) 100 mA
Temperatura de Operação -40 °C a 150 °C

Recursos

  • Baixa perda de condução
  • Excelente comportamento de chaveamento
  • Alta robustez contra transientes

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do transistor IKP06N60T?

O transistor IKP06N60T possui encapsulamento TO-220 FullPAK.

Qual a faixa de temperatura de operação do IKP06N60T?

A temperatura de operação do IKP06N60T varia de -40 °C a 150 °C.

Quais são alguns dos benefícios do IKP06N60T?

O IKP06N60T oferece baixa perda de condução, excelente comportamento de chaveamento e alta robustez contra transientes.

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