Descrição
Transistor de potência CoolMOS™ P6 600V, 6A, com encapsulamento TO 220 FullPAK. Ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P6 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 6 A |
| Encapsulamento | TO-220 FullPAK |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 600 mΩ (típico) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Baixa perda de condução
- Excelente comportamento de chaveamento
- Alta robustez contra transientes
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor IKP06N60T?
O transistor IKP06N60T possui encapsulamento TO-220 FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKP06N60T?
A temperatura de operação do IKP06N60T varia de -40 °C a 150 °C.
Quais são alguns dos benefícios do IKP06N60T?
O IKP06N60T oferece baixa perda de condução, excelente comportamento de chaveamento e alta robustez contra transientes.

