Descrição
Transistor de efeito de campo (FET) de potência de silício de alta performance, projetado para aplicações de comutação em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ T |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 10 A |
| RDS(on) máximo | 0.45 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs) máxima: ±20 V |
| Tensão de Ruptura Gate | Source (Vgs(th)): 3 V |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | Isolação |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de TV |
Recursos
- Baixa perda de condução e comutação
- Alta confiabilidade
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon IKA10N60T?
O Infineon IKA10N60T possui encapsulamento com isolação e é fornecido no package TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKA10N60T?
O IKA10N60T opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon IKA10N60T?
As aplicações típicas do IKA10N60T incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor e fontes de alimentação de TV.