Infineon IHW30N90T

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Infineon IHW30N90T: IGBT de 900V e 30A para Aplicações de Alta Potência

O IHW30N90T da Infineon é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta potência projetado para aplicações exigentes que requerem alta velocidade de comutação e baixa perda de energia. Com uma tensão de bloqueio de 900V e uma corrente de coletor de 30A, este componente é ideal para uso em inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações de alta potência.

Especificações Técnicas do IHW30N90T:

  • Tecnologia TrenchStop™ e Fieldstop para excelente desempenho
  • Tensão coletor-emissor (VCE): 900V
  • Corrente de coletor (IC): 30A
  • Baixa tensão de saturação (VCE(sat))
  • Tempo de desligamento rápido
  • Diodo em antiparalelo de baixa perda
  • Encapsulamento PG-TO247-3

Aplicações do Transistor IHW30N90T:

O IHW30N90T é uma escolha confiável para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Inversores solares
  • Conversores de frequência para motores
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de aquecimento por indução
  • Soldagem
  • Aplicações de acionamento de motor

Benefícios do IGBT IHW30N90T:

Este IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para projetos de eletrônica de potência:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas de potência e melhorando o desempenho geral do sistema.
  • Excelente capacidade de comutação, permitindo operação em altas frequências e reduzindo o tamanho e peso dos componentes passivos.
  • Robustez e confiabilidade, garantindo operação estável em ambientes industriais desafiadores.
  • Encapsulamento compacto e fácil de usar, simplificando o processo de montagem.

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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são para fins informativos. Consulte a folha de dados do produto para obter especificações detalhadas e diretrizes de aplicação.

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