Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família Rapid 1 com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 60 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 30 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30A, 15V: 1.7 V |
| Corrente de Pico (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 200 pF |
| Capacitância Reverse Transfer (Cres) | 50 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.45 K/W |
| Package | TO-247 |
| Tecnologia | TrenchStop® 2nd Generation |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IHW30N160R2 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1600 V.
Qual a corrente máxima que o IHW30N160R2 pode conduzir?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 60 A a 25°C e 30 A a 100°C. A corrente de pico (Icm) é de 120 A.
Quais são as características de encapsulamento e tecnologia do IHW30N160R2?
O IHW30N160R2 é encapsulado em TO-247 e utiliza a tecnologia TrenchStop® 2nd Generation.