Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série R5 da Infineon, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30A, 15V: 1.5 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT R5 |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IHW30N120R5XKSA1 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o IHW30N120R5XKSA1 pode operar?
O IHW30N120R5XKSA1 opera em temperaturas de -40°C a +175°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do IHW30N120R5XKSA1?
Este IGBT é indicado para aplicações como fontes de alimentação, inversores solares e controle de motores.