Infineon IGW50N60T: IGBT de Alta Performance para suas Aplicações
Procurando por um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta performance para o seu projeto? Apresentamos o Infineon IGW50N60T, um componente eletrônico que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do IGW50N60T
O IGW50N60T da Infineon é um IGBT robusto e eficiente que se destaca por suas características:
- Tecnologia TrenchStop™ e Fieldstop: garante um desempenho superior com perdas reduzidas e alta velocidade de comutação.
- Tensão Coletor-Emissor (VCE): 600V, ideal para aplicações de média potência.
- Corrente de Coletor (IC): 50A, proporcionando capacidade de lidar com cargas significativas.
- Tempo de Curto-Circuito: 5µs, garantindo proteção contra sobrecargas.
- Encapsulamento TO-247: fácil de montar em dissipadores de calor, garantindo excelente dissipação térmica.
Aplicações do Infineon IGW50N60T
Graças ao seu desempenho e robustez, o IGW50N60T é ideal para diversas aplicações, como:
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks)
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Por que escolher o IGW50N60T?
O IGW50N60T da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para seus projetos:
- Alta Eficiência: a tecnologia TrenchStop™ e Fieldstop minimiza as perdas de energia, resultando em maior eficiência e menor geração de calor.
- Confiabilidade: o IGW50N60T foi projetado para operar em condições exigentes, garantindo longa vida útil e operação confiável.
- Excelente Relação Custo-Benefício: o IGW50N60T oferece um desempenho excepcional a um preço competitivo.
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