Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 50A, 25°C: 1.5 V |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | 0.3 A |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a 175 °C |
| Package | TO-247 |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.4 K/W |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IGW50N60T?
O IGW50N60T possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IGW50N60T?
A temperatura de operação (Tj) do IGW50N60T varia de -40 a 175 °C.
Qual a corrente contínua máxima de coletor do IGW50N60T?
A corrente contínua de coletor (Ic) do IGW50N60T é de 50 A a 25°C e 25 A a 100°C.