Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 25 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25A, 15V: 1.7 V |
| Corrente de Pico (Icm) | 75 A |
| Potência Dissipada (Pd) a 25°C | 167 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, drives de motor |
| Alta robustez contra curtos | circuitos |
Recursos
- Baixa perda de condução e chaveamento
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IGW25T120?
O IGW25T120 possui encapsulamento em plástico no formato TO-247.
Quais as temperaturas de operação do IGW25T120?
O IGW25T120 opera em temperaturas que variam de -40°C a 150°C.
Quais as aplicações típicas do IGW25T120 e quais proteções ele oferece?
O IGW25T120 é utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e drives de motor. Além disso, possui alta robustez contra curtos-circuitos.