Descrição
IGBT de alta performance da série H3 da Infineon, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência em fontes de alimentação chaveadas e inversores solares.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 15 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 7.5 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 15 A, 25°C: 1.55 V |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 3 |
| Package | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 175°C |
| Perda de Energia de Comutação (Eon) a 15 A, 600 V, 25°C | 0.5 mJ |
| Perda de Energia de Comutação (Eoff) a 15 A, 600 V, 25°C | 0.3 mJ |
| Diodo de Ruptura Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores solares, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IGW15N120H3FKSA1 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) do IGW15N120H3FKSA1 é de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do IGW15N120H3FKSA1?
O IGW15N120H3FKSA1 opera entre -40°C e 175°C.
Quais as aplicações típicas do IGW15N120H3FKSA1?
O IGW15N120H3FKSA1 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores solares e controle de motor.