Infineon IGW08T120FKSA1: Transistor IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O IGW08T120FKSA1 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de última geração fabricado pela Infineon Technologies, projetado para atender às demandas de aplicações de alta potência que exigem desempenho e eficiência excepcionais. Com tecnologia Trench Field Stop avançada e encapsulamento robusto PG-TO247-3-1, este componente oferece uma combinação ideal de alta capacidade de corrente, baixa resistência de condução e comutação rápida, tornando-o uma escolha confiável para uma ampla gama de projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas do IGW08T120FKSA1
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor contínua (IC): 16A
- Dissipação de potência (PD): 70W
- Tecnologia: Trench Field Stop
- Encapsulamento: PG-TO247-3-1
- Temperatura de operação: -40°C a +150°C
- Configuração: NPT (Non-Punch Through)
Aplicações do Transistor IGW08T120FKSA1
Graças às suas características avançadas, o IGW08T120FKSA1 da Infineon é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores solares
- Conversores de frequência
- Sistemas de acionamento de motores
- Controles industriais
- Aplicações de aquecimento por indução
Benefícios do IGW08T120FKSA1
Utilizar o IGW08T120FKSA1 em seus projetos oferece uma série de vantagens significativas:
- Alta eficiência: Baixa resistência de condução, reduzindo perdas de energia e aumentando a eficiência geral do sistema.
- Comutação rápida: Permite a operação em altas frequências, resultando em menor tamanho e peso dos componentes passivos.
- Robustez e confiabilidade: Tecnologia Trench Field Stop e encapsulamento PG-TO247-3-1 garantem alta robustez e confiabilidade em ambientes desafiadores.
- Excelente desempenho térmico: Dissipação de potência de 70W, permitindo operação em altas temperaturas.
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