Descrição
Transistor IGBT de alta eficiência da série H2, projetado para aplicações de alta frequência e alta potência.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30A, 15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | 0.5 A |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Cres) | 20 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IGW03N120H2?
O transistor IGW03N120H2 é fornecido no encapsulamento TO-247.
Quais as faixas de temperatura de operação do IGW03N120H2?
O IGW03N120H2 pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Emissor do IGW03N120H2?
A tensão máxima de Gate-Emissor (Vge) do IGW03N120H2 é de ±20 V.