Descrição
Transistor IGBT de alta tensão da série H2 da Infineon, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 100 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.5 V (típico) |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT |
| Package | TO-247-3 |
| Classe de Temperatura | -40°C a +175°C |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 303 W |
| Frequência de Operação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas, inversores solares, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IGP01N120H2 pode suportar?
O IGBT IGP01N120H2 possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Em que faixa de temperatura o IGP01N120H2 pode operar?
O IGBT IGP01N120H2 opera na faixa de temperatura de -40°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do IGBT IGP01N120H2?
O IGP01N120H2 é projetado para aplicações como fontes de alimentação comutadas, inversores solares e acionamentos de motor.