Descrição
Transistor IGBT de alta performance da série IgP, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 50A, 15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | ±300 mA |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1800 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 200 pF |
| Capacitância Reverso (Cres) | 50 pF |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IGP01H12N02 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em quais temperaturas o IGP01H12N02 pode operar?
A faixa de temperatura de operação do IGP01H12N02 é de -40°C a +150°C.
Quais as características de corrente e encapsulamento do IGP01H12N02?
A corrente de Coletor Contínua (Ic) é de 50 A a 25°C e 25 A a 100°C. O encapsulamento é TO-247.