Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 1200V, 75A, com baixa resistência Rds(on) e encapsulamento TO247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ 75 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 1200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.048 Ω (típico a 25°C) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 3.5 V (típico) |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 nA (a Vgs=0V) |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, carregadores de veículos elétricos. |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IFS75B12N3E4_B31?
O MOSFET IFS75B12N3E4_B31 possui encapsulamento PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IFS75B12N3E4_B31?
O MOSFET IFS75B12N3E4_B31 opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais são as aplicações típicas do MOSFET IFS75B12N3E4_B31?
As aplicações típicas do MOSFET IFS75B12N3E4_B31 incluem fontes de alimentação, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.