Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 600 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Package | E-PACK 2 |
| Configuração | Single IGBT |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 1250 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +175 °C |
| Robusto contra Curto | Circuito |
Recursos
- Baixas Perdas de Condução e Comutação
- Alta Densidade de Potência
FAQ
Qual o encapsulamento e configuração do Infineon IFS200B12N3E4P_B37?
O componente utiliza o encapsulamento E-PACK 2 e possui configuração Single IGBT.
Qual a faixa de temperatura de operação do IFS200B12N3E4P_B37?
A temperatura de operação (Tj) do IFS200B12N3E4P_B37 é de -40 °C a +175 °C.
O IFS200B12N3E4P_B37 possui alguma proteção específica?
Sim, o IFS200B12N3E4P_B37 é robusto contra curto-circuito.