Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com foco em eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 200 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 200A, 15V: 1.7 V |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Package | E3-TO247-3 |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.31 K/W |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Diodo de Ruptura Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IFS200B12N3E4_B37?
O transistor IGBT IFS200B12N3E4_B37 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o IFS200B12N3E4_B37 pode ser utilizado?
O IFS200B12N3E4_B37 é indicado para aplicações como inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais e controle de motores.
Quais as características de corrente e temperatura do IFS200B12N3E4_B37?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 200 A a 25°C e 100 A a 100°C. A temperatura de operação varia de -40°C a +175°C. A resistência térmica (RthJC) é de 0.31 K/W. Possui diodo de ruptura rápida integrado.