Descrição
Transistor de potência IGBT de canal N, 150A, 1700V, com diodo de roda livre integrado, encapsulado em PG TO247 3.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT 3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 450 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Package | PG-TO247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 175°C |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 1100 W |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.11 K/W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IFS150B17N3E4P_B11?
O IFS150B17N3E4P_B11 é encapsulado em PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do componente?
A temperatura de operação do IFS150B17N3E4P_B11 varia de -40°C a 175°C.
Qual a tensão de saturação do coletor-emissor do IGBT?
A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) do IGBT é de 1.7 V (típico).