Descrição
Transistor IGBT de 1200V com diodo integrado, encapsulamento TO 247.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT3 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 300 W |
| Resistência Térmica Junção | Case (RthJC): 0.4 K/W |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IFS150B12N3E4_B31?
O IFS150B12N3E4_B31 possui encapsulamento PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IGBT?
A faixa de temperatura de operação do IFS150B12N3E4_B31 é de -40°C a +150°C.
Este IGBT possui diodo integrado e quais suas características?
Sim, o IFS150B12N3E4_B31 possui um diodo de ruptura rápida integrado. Sua tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 1200 V e a Corrente Contínua de Coletor (Ic) é de 50 A, com uma Corrente Pulsada de Coletor (Icm) de 150 A.