Descrição
Transistor de potência bipolar (BJT) NPN de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta corrente.
Especificações
| Tipo de Transistor | BJT NPN |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vceo): 1200 V |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) | 450 A |
| Tensão Máxima Base | Emissor (Vbe): 5 V |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 2500 W |
| Encapsulamento | TO-240 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Tecnologia | High Power |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores, controle de motores |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor Infineon IFF450B12ME4S8P_B11?
O transistor Infineon IFF450B12ME4S8P_B11 possui encapsulamento TO-240.
Qual a faixa de temperatura de operação do transistor IFF450B12ME4S8P_B11?
A temperatura de operação do transistor IFF450B12ME4S8P_B11 varia de -40°C a 150°C.
Quais são algumas aplicações típicas para o transistor IFF450B12ME4S8P_B11?
O transistor IFF450B12ME4S8P_B11 é projetado para aplicações como fontes de alimentação, inversores e controle de motores.