Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família EasyPACK 3B, projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 300 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Package | EasyPACK 3B |
| Configuração | 3 fases com diodo de freewheeling |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.15 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada por este IGBT?
O Infineon IFF300B12N2E4P_B11 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do IFF300B12N2E4P_B11?
Este IGBT é projetado para aplicações em inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais.
Qual a temperatura máxima de operação do IFF300B12N2E4P_B11?
A temperatura de operação do IFF300B12N2E4P_B11 varia de -40 °C a 175 °C.