Descrição
O Infineon FZL4146G é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 100A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5V (max) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5mOhm (max) @ Vgs=10V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| Encapsulamento | Surface Mount |
| Corrente de Drain Pulsada (Id) | 400A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Dissipação de Potência (Pd) | 300W (Tc=25°C) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon FZL4146G?
O Infineon FZL4146G utiliza o encapsulamento Surface Mount, em um pacote PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZL4146G?
O FZL4146G opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 175°C.
Quais são as especificações de tensão e corrente do FZL4146G?
O FZL4146G é um transistor de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 40V, corrente de Drain contínua (Id) de 100A, e corrente de Drain pulsada (Id) de 400A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20V.