Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 165A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 5.8mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5V (typ) |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 110nC (typ) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4000pF (typ) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000pF (typ) |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200pF (typ) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 660A |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de transistor do Infineon FZE1658G?
O Infineon FZE1658G é um MOSFET de canal N.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZE1658G?
O FZE1658G opera em temperaturas de -55°C a 175°C.
Qual a tensão Drain-Source máxima do FZE1658G?
A tensão Drain-Source (Vds) do FZE1658G é de 60V.