Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 900 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 4 |
| Diodo de Freio | Fast Diode |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de Pico Coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência Térmica Coletor | Case (Rthjc): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Isolamento | 4000 Vrms |
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo FZ900R12KE4?
O módulo Infineon FZ900R12KE4 possui isolamento de 4000 Vrms.
Quais as temperaturas de operação do módulo FZ900R12KE4?
O módulo FZ900R12KE4 pode operar em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FZ900R12KE4 e qual sua corrente contínua?
O FZ900R12KE4 utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 4 e suporta uma corrente contínua de coletor (Ic) de 900 A.