Módulo IGBT Infineon FZ825R33HE4D – Alta Potência e Performance
Procurando um módulo IGBT de alta potência e performance para sua aplicação industrial? Apresentamos o Infineon FZ825R33HE4D, um componente de última geração que oferece confiabilidade e eficiência excepcionais.
Especificações Técnicas do Infineon FZ825R33HE4D:
- Tecnologia: IGBT4 Trench/Fieldstop
- Configuração: Single Switch
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 3300V
- Corrente de Coletor Contínua (IC): 825A
- Corrente de Coletor de Pico Repetitivo (ICRM): 1650A
- Dissipação de Potência (Pd): 2.4MW
- Temperatura de Junção Operacional (Tvj,op): -40°C a +150°C
- Baixas perdas de comutação
- Alta capacidade de curto-circuito
- Placa base AlSiC para maior capacidade de ciclo térmico
- Isolamento galvânico
Aplicações do Módulo IGBT Infineon FZ825R33HE4D
O FZ825R33HE4D é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de tração
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia renovável (energia solar e eólica)
- Drives de motor industriais
- Soldagem
Benefícios do Infineon FZ825R33HE4D
Ao escolher o FZ825R33HE4D da Infineon, você se beneficia de:
- Alta eficiência: Reduz perdas de energia e aumenta a eficiência geral do sistema.
- Confiabilidade excepcional: Construído com tecnologia de ponta para garantir operação estável e longa vida útil.
- Robustez: Suporta condições operacionais exigentes e oferece alta capacidade de curto-circuito.
- Design compacto: Facilita a integração em diversos projetos.
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