Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop Generation 3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 800 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1600 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência Térmica Coletor | Case (Rthjc): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de Freewheeling Integrado | Sim |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motores |
| Número de componentes | 6x IGBTs |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ800R12KE3?
O módulo IGBT FZ800R12KE3 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ800R12KE3?
O módulo FZ800R12KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo FZ800R12KE3?
O módulo FZ800R12KE3 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia eólica e acionamentos de motores.