Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling rápido, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 600 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de Freewheeling | Rapid 10 |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Número de Transistores | 6 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ600R65KE3?
O módulo Infineon FZ600R65KE3 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 650 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ600R65KE3?
O módulo FZ600R65KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Em quais aplicações o FZ600R65KE3 é tipicamente utilizado?
O FZ600R65KE3 é projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.