Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 600 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FZ600R17KE4?
O módulo IGBT FZ600R17KE4 suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Quais as temperaturas de operação do FZ600R17KE4?
O FZ600R17KE4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quais são algumas das características do FZ600R17KE4?
O FZ600R17KE4 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado.