Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 400 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | Module |
| Configuração | Half-bridge |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FZ400R12KE4?
O módulo FZ400R12KE4 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ400R12KE4?
O FZ400R12KE4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FZ400R12KE4?
O FZ400R12KE4 possui tecnologia IGBT 4, baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado. Sua configuração é half-bridge e o módulo é projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.