Infineon FZ3600R17HP4_B2

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Infineon FZ3600R17HP4_B2: Módulo IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes

O Infineon FZ3600R17HP4_B2 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência projetado para aplicações que exigem alto desempenho e confiabilidade. Com uma corrente de coletor de 3600A e uma tensão de coletor-emissor de 1700V, este dispositivo é ideal para uso em inversores, conversores, sistemas de acionamento de motores e outras aplicações de energia.

Especificações Técnicas do Infineon FZ3600R17HP4_B2:

  • Configuração: Single Switch
  • Tecnologia: IGBT4 – P4
  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1700V
  • Corrente de coletor (IC): 3600A
  • Tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)): 1.9V (típico a 25°C)
  • Tempo de desligamento (tf): 300ns (típico)
  • Temperatura de junção operacional (Tj): -40°C a 150°C
  • Encapsulamento: IHM B
  • Características: Diodo ampliado; 200% PC

Aplicações do Módulo IGBT Infineon FZ3600R17HP4_B2

Graças à sua alta potência e robustez, o FZ3600R17HP4_B2 pode ser utilizado em uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Inversores de frequência para controle de motores
  • Conversores de energia para fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de acionamento de motores para trens e bondes
  • Energia renovável, como conversores solares e eólicos
  • Aplicações industriais de alta potência

Benefícios do Infineon FZ3600R17HP4_B2

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para aplicações de alta potência:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas de energia
  • Baixa resistência de condução, minimizando a dissipação de calor
  • Alta velocidade de comutação, permitindo operação em altas frequências
  • Robustez e confiabilidade, garantindo longa vida útil
  • Encapsulamento compacto e fácil de integrar em projetos

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Infineon FZ3600R17HP4_B2

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