Infineon FZ300R12KE3G

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ig): ±200 mA
Tecnologia Trench IGBT 4
Diodo de roda livre Diode Fast
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.04 K/W
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FZ300R12KE3G?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do FZ300R12KE3G é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O FZ300R12KE3G opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

Qual a corrente contínua do coletor e qual a tecnologia IGBT utilizada?

A corrente contínua do coletor (Ic) do FZ300R12KE3G é de 300 A e utiliza a tecnologia Trench IGBT 4.

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