Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 250 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de Roda Livre | Fast Diode |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 500 mA |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Número de Transistores | 2 |
| Configuração | Half Bridge |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FZ250R65KE3 pode suportar?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 650 V.
Em que faixa de temperatura o FZ250R65KE3 pode operar?
O FZ250R65KE3 pode operar em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Qual a configuração e o tipo de encapsulamento do FZ250R65KE3?
O FZ250R65KE3 possui configuração Half Bridge e encapsulamento EconoDUAL™ 3.