Infineon FZ2400R12HE4P_B9

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 2400 A
Corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) 1600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Package Press-Pack
Faixa de temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores de alta potência, conversores de energia, acionamentos de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (E4)
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão nominal suportada pelo IGBT FZ2400R12HE4P_B9?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do IGBT FZ2400R12HE4P_B9 é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FZ2400R12HE4P_B9?

O módulo de potência FZ2400R12HE4P_B9 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, conversores de energia e acionamentos de motores.

Qual a faixa de temperatura de operação do FZ2400R12HE4P_B9?

A faixa de temperatura de operação do FZ2400R12HE4P_B9 é de -40°C a +125°C.

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