Infineon FZ2400R12HE4_B9

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de veículos elétricos.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de veículos elétricos.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 2400 A
Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) 1600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 100 mA
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.04 K/W
Package Module
Faixa de temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e a corrente nominal do módulo FZ2400R12HE4_B9?

A tensão nominal do coletor: emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 2400 A. A corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) é de 1600 A.

Qual a faixa de temperatura de operação do FZ2400R12HE4_B9?

A faixa de temperatura de operação do módulo FZ2400R12HE4_B9 é de -40°C a +125°C.

Quais as principais características do diodo de freio integrado e da tecnologia IGBT usada?

O FZ2400R12HE4_B9 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza a tecnologia IGBT 4.

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